-
奧林巴斯顯微鏡人體工程學(xué)的目鏡觀察筒
目鏡觀察管高度，必須在顯微鏡元件及配件符合人體工程學(xué)的設(shè)計考慮的重要因素。本教程將探討目前可用的符合人體工程學(xué)的觀測管及其擴展范圍的運動范圍，使所有的大小和高度舒適的觀察試樣的運營商為漫長的時間。符合人體工程學(xué)設(shè)計的雙目觀察筒出現(xiàn)在窗口的初始化教程。為了操作的教程，使用目鏡筒傾斜滑塊轉(zhuǎn)換目鏡管通過其活動范圍相對于工作站桌面層次和顯微鏡支架高度。的目鏡管長度滑塊使目鏡管延伸或縮回主要觀察頭（這個滑
2020-09-03
-
奧林巴斯顯微鏡攝影黑和白平衡
用光學(xué)顯微鏡拍攝的數(shù)字圖像的整體色彩是不僅依賴于波長的可見光透過或樣本反射的光譜，但也對照明的頻譜內(nèi)容。彩色數(shù)字?jǐn)z像系統(tǒng)，使用電荷耦合器件（CCD）或互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS圖像傳感器），白色和/或黑色平衡（基線）的調(diào)整往往是必要的以數(shù)字圖像中產(chǎn)生可接受的顏色質(zhì)量。與隨機選擇的樣本圖像初始化教程，在奧林巴斯顯微鏡下拍攝的，出現(xiàn)在左邊的窗口標(biāo)題標(biāo)本圖像。每個樣品的名稱包括在括號中，一個縮寫，
2020-09-03
-
奧林巴斯顯微鏡CCD偏移技術(shù)動畫演示
探索電荷耦合器件（CCD）成像半導(dǎo)體的操作與此交互式Flash教程。現(xiàn)代的CCD構(gòu)成的絕緣二氧化硅位于光電二極管陣列的下方和金屬電極陣列上的光敏感的三明治。從照明源（在教程為波浪紅色箭頭示出）的光子首先碰撞的硅原子在CCD的身體，釋放負(fù)電荷的電子。這些電子被捕獲的像素陣列與由電極陣列位于二氧化硅的絕緣層下方產(chǎn)生的正電荷中。在這種方式下，來自物體的光強度被成像中捕獲包含在每個像素中的電子的數(shù)量而言。
2020-09-03
-
奧林巴斯顯微鏡圖像銳度調(diào)整
數(shù)字圖像的清晰度是指明確兩個粗和細樣品細節(jié)的程度。在數(shù)字圖像A缺乏銳度用顯微鏡拍攝的結(jié)果往往從差聚焦調(diào)整，振動，或者不被平相對于成像平面的樣品。這個共同的工件也可導(dǎo)致各種光學(xué)像差例如球面像差，像散，彗差，幾何失真和場曲率。雖然許多這樣的問題可以通過確保在顯微鏡和標(biāo)本的配置是否正確進行校正，它通常是必要的糾正從通過數(shù)字圖像處理技術(shù)的缺乏銳度遭受拍攝的數(shù)字圖像。本教程初始化一個隨機選擇的樣本圖像，在奧
2020-09-03
-
奧林巴斯顯微鏡胚胎干細胞
奧林巴斯顯微鏡Embyronic干細胞系，其最初是從人胚泡的內(nèi)芯，以及其他哺乳動物的產(chǎn)生，現(xiàn)在被廣泛地建立了在使用傳統(tǒng)的體外培養(yǎng)研究界。該細胞株傳代過程中保持其未分化狀態(tài)和正常的細胞核，但是，他們?nèi)匀荒軌蚍只扇魏晤愋偷慕M織。增殖embyronic干細胞首先成為根據(jù)特定培養(yǎng)條件的干細胞（如神經(jīng)元干細胞，肌干細胞，血管內(nèi)皮細胞的干細胞，以及造血干細胞），然后分化成神經(jīng)元，肌肉細胞，血管內(nèi)皮細胞和血細
2020-09-03
-
奧林巴斯顯微鏡在無限遠光學(xué)系統(tǒng)物鏡放大倍數(shù)
無限遠校正顯微鏡的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計使輔助設(shè)備的插入，如垂直照明和中間管，在物鏡和目鏡之間的光學(xué)路徑而不引入的球面像差，需要重點改正，或創(chuàng)建其他的圖像的問題。在一個有限的光學(xué)系統(tǒng)，光線穿過的物鏡集中在圖像平面上產(chǎn)生圖像。情況是無限遠校正光學(xué)系統(tǒng)的物鏡產(chǎn)生的磁通平行光成像在無窮遠處的波列不同，都成了焦點在由管透鏡中間圖像平面。本教程將探討如何變化，管透鏡和物鏡焦距影響在無限遠校正顯微鏡物鏡的放大倍率。奧
2020-09-03
-
奧林巴斯顯微鏡高斯邊緣增強算法的區(qū)別
大多數(shù)的邊緣增強算法中通常采用的數(shù)字圖像處理經(jīng)常產(chǎn)生的圖像中增加隨機噪聲的不希望的副作用。因為它消除高頻空間細節(jié)，其可以包括隨機噪聲，所述的高斯差分算法是用于提高在嘈雜的數(shù)字圖像的邊緣是有用的。這種互動式的教程探討應(yīng)用高斯算法，在顯微鏡拍攝的圖像的差異。教程初始化與隨機選擇的樣本圖像（在顯微鏡拍攝的）出現(xiàn)在題為左手和中心窗試樣（1）模糊和模糊試樣（2） ，分別為。操作教程，選擇一個標(biāo)本圖像從選擇的
2020-09-03
-
奧林巴斯顯微鏡金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）電容器
在所有的電荷耦合器件（CCD）的心臟是一個光敏感的金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）電容器，其中有三個組成部分由金屬電極（或柵極）的，二氧化硅的絕緣膜，以及硅襯底。MOS電容被分成兩類設(shè)備，具有一個表面溝道結(jié)構(gòu)，而另一個具有一個埋溝的設(shè)計。 它是用于在現(xiàn)代的CCD的制造中，由于掩埋溝道結(jié)構(gòu)的幾個優(yōu)點，后者的設(shè)備。 MOS電容器陣列被制造在一個p型硅襯底，其中，主電荷載體是帶正電荷的電子“空穴”（圖1中示出
2020-09-03